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羽翼渐丰:浅谈3D芯片堆叠技术现状
2021-05-28 [47554]

近年来,TSV穿着硅网络代表的3D芯片技术在各媒体中比重很高,但该技术能否如此简单,该技术的实际发展速度也比较慢,目前仍停留在纸上的阶段。但是,许多芯片制造商仍然致力于TSV基础3D芯片技术的发展,IBM、Intel、三星、东芝等3D芯片技术的优点是,通过减少不需要改变现有产品工艺的基础产品集成,可以增加单位芯片领域内的晶体管数量。在最近举行的GSA存储会议上,芯片制造业的四大联盟-IMEC、ITRI、Sematech和SEMI展示了基于TSV的3D芯片技术的最新发展。

SEMI联盟下属的3D芯片技术工作组本周举行了第一次主导会议,为TSV技术用晶片及生产用设备制定了标准。SEMI联盟的组织下属共有3个3D芯片技术相关工作组,目前已有第4个相关工作组。这个新成立的工作组将由芯片生产用设备生产行业的大兄弟应用材料公司领导。

另一个产业联盟组织Sematech也在大力扩大自己的3D芯片研发计划。模拟设备最近宣布重新加入Sematech组织的三维芯片设计启动中心的组织,目前该组织的成员包括Altera、LSI、安森美半导体、高通等。

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3D充电技术的吸引:其他组织和公司也在大力开发基于TSV的3D芯片技术。毕竟,很多芯片企业担心今后减少流程规模时支出的费用将无法承受,甚至可能需要在不久的将来停止对芯片流程缩减的研发。威廉莎士比亚,Northern Exposure(美国电视),)根据所有这些工作,除了在2D方向缩小过程大小外,业界还在积极考虑用3D TSV芯片填满方向的方案。

多年来,芯片制造商一直在谈论基于TSV的3D芯片充电技术,但除了在CMOS图像传感器领域销售使用类似技术的产品外,该技术还没有进入主流。造成这种现象的原因是研发费用高,标准不足等因素。

(威廉莎士比亚,Northern Exposure(美国电视剧),创作)2.5D和3D芯片充电技术:根据2.5D芯片充电结构理论,3D芯片充电技术的构建可以分为两个阶段,第一个阶段是重新使用利用硅中间点之间的层的2.5D技术。该技术也有TSV技术,但在上图右侧,功能芯片(chip1/2)中没有申请专利TSV。

功能芯片通过microbump连接到中间点对点层(interposer),通过TSV衬底连接到3D芯片PCB的衬底。第二阶段不将TSV结构移植到功能芯片上。如今,许多组织已经为主流应用程序重组了新的3D芯片填充项目组。

(威廉莎士比亚、温斯顿、哈利波特、成功) (例如,Semtech的组织此后与IBM合作。这个项目的目标是利用TSV3D填充技术将DSP芯片和DSP芯片填满。

这两个芯片通过中间层(interposer)连接。该点对点层的最大比特率可在内存领域将高达1.3Tbps.3DIC技术应用于热点。

WideI/O、Hynix、三星等组织正在积极推进WideI/O内存接口技术,这是将TSV3D填充技术引入主流应用程序的另一个程序。-官方网站。

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